{"product_id":"abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","title":"Tiristor de control de fase ABB 5STP38Q4200 4200V 4420A","description":"\u003ch2\u003eTiristor de Control de Fase ABB 5STP38Q4200\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eEl \u003cstrong\u003eABB 5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e, también catalogado como el Tiristor de Control de Fase (PCT) \u003cstrong\u003e5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e, es el semiconductor de alta potencia principal utilizado para ejecutar circuitos de rectificación y conmutación controlados por fase en plataformas industriales de conversión de energía.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eEspecificaciones de Hardware\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParámetro\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eEspecificación\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eModelo\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5STP38Q4200\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eMarca\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eABB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eOrigen\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eSuiza\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003ePeso\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2.1 kg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eDimensiones\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e151 mm x 151 mm x 26 mm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eTemperatura de Operación\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eHasta +125 °C límite de temperatura de unión\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eConsumo de Energía\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDependiente de la caída de conducción directa (VT0 = 0.973 V)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eVoltaje Pico Repetitivo (VDRM\/VRRM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4200 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorriente Promedio en Estado Conducido (IT(AV))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4420 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorriente RMS (IT(RMS))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6950 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorriente de Sobretensión (ITSM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e64.5 kA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003edv\/dt Crítico\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2000 V\/μs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorriente de Fuga\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e400 mA a 125 °C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eVolumen del Paquete\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.593 dm cúbicos\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eControl Vectorial V\/Hz y Orientado al Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eLos semiconductores de alta potencia se integran en variadores de frecuencia variable y grandes rectificadores para mantener curvas estables de conducción de corriente durante rutinas de control vectorial V\/Hz y orientado al campo. La tecnología de silicio flotante combinada con una puerta amplificadora interdigitada minimiza la resistencia térmica transitoria interna a 0.126 mOhm, optimizando los perfiles de disipación térmica del disipador de calor. Esta dinámica permite que el dispositivo maneje altas corrientes de sobretensión sin fallas estructurales, manteniendo la sincronización del disparo de la puerta a pesar de rápidas subidas de voltaje directo o distorsión armónica extrema en el lado de la línea.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003ePreguntas Frecuentes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eP: ¿Cuál es el beneficio del diseño de silicio flotante en el 5STP38Q4200?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e El diseño permite que la oblea de silicio se expanda y contraiga de forma autónoma dentro del encapsulado, evitando tensiones mecánicas internas y microfracturas durante cargas térmicas cíclicas.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eP: ¿Cómo protege el dispositivo las redes aguas abajo contra picos rápidos de voltaje?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e El semiconductor presenta una alta calificación de dv\/dt crítico de 2000 V\/μs, lo que previene disparos accidentales cuando se expone a cambios severos de voltaje en la red de suministro.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eP: ¿Incluye el tiristor protecciones integradas contra sobrecorriente?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e No, es un componente semiconductor discreto. Se deben integrar redes de protección externas, como fusibles de acción rápida y circuitos snubber, para manejar estados de sobrecarga.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eGuías para la Instalación en Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eLimpie meticulosamente las caras de contacto tanto del tiristor como del disipador de calor, aplicando una capa fina de pasta térmica especializada para optimizar la conductividad eléctrica y térmica.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eAplique una presión de sujeción exacta y equilibrada usando hardware de montaje calibrado para asegurar una distribución uniforme de la fuerza sobre los elementos internos de la oblea de silicio.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eEnrute todas las líneas de conexión de disparo de puerta directamente a la tarjeta de disparo usando cables cortos y trenzados para suprimir la captación de ruido electromagnético externo.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVerifique que los sistemas externos de enfriamiento por aire o líquido cumplan estrictamente con los parámetros de carga térmica requeridos para mantener la operación por debajo del límite de 125 °C en la unión.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ABB","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":43865694765155,"sku":"5STP38Q4200","price":676.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0583\/5246\/8067\/files\/393._93021600-d07c-46ec-990e-1c389a021d82.jpg?v=1764581125","url":"https:\/\/www.autocontrolglobal.com\/es\/products\/abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","provider":"AutoControl Global","version":"1.0","type":"link"}