{"product_id":"abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","title":"Thyristor de commande de phase ABB 5STP38Q4200 4200V 4420A","description":"\u003ch2\u003eThyristor de contrôle de phase ABB 5STP38Q4200\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eABB 5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e, également référencé sous le nom de \u003cstrong\u003e5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e Thyristor de contrôle de phase (PCT), est le principal semi-conducteur haute puissance \u003cstrong\u003e5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e utilisé pour réaliser des circuits de redressement et de commutation à contrôle de phase dans les plateformes industrielles de conversion d’énergie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eSpécifications matérielles\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParamètre\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSpécification\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eModèle\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5STP38Q4200\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eMarque\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eABB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eOrigine\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eSuisse\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003ePoids\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2,1 kg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eDimensions\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e151 mm x 151 mm x 26 mm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eTempérature de fonctionnement\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eJusqu’à +125 °C limite de température de jonction\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eConsommation électrique\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDépend de la chute de conduction directe (VT0 = 0,973 V)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eTension de crête répétitive (VDRM\/VRRM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4200 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCourant moyen en conduction (IT(AV))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4420 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCourant efficace (IT(RMS))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6950 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCourant d’appel (ITSM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e64,5 kA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003edv\/dt critique\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2000 V\/μs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCourant de fuite\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e400 mA à 125 °C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eVolume du boîtier\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0,593 dm³\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eContrôle V\/Hz et contrôle vectoriel orienté champ\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eLes semi-conducteurs haute puissance intégrés dans les variateurs de fréquence et les grands redresseurs assurent des courbes de conduction stables lors des routines de contrôle V\/Hz et de contrôle vectoriel orienté champ. La technologie silicium à flottement libre combinée à une grille amplificatrice interdigité minimise la résistance thermique transitoire interne à 0,126 mΩ, optimisant ainsi la dissipation thermique via le dissipateur. Cette dynamique permet au dispositif de supporter des courants d’appel élevés sans défaillance structurelle, tout en maintenant la synchronisation du déclenchement de la grille malgré des montées rapides de tension directe ou des distorsions harmoniques extrêmes côté réseau.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eQuestions fréquemment posées\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ : Quel est l’avantage de la conception en silicium à flottement libre dans le 5STP38Q4200 ?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR :\u003c\/strong\u003e Cette conception permet à la plaquette de silicium de se dilater et se contracter de manière autonome à l’intérieur du boîtier, évitant ainsi les contraintes mécaniques internes et les microfissures lors des cycles thermiques.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ : Comment le dispositif protège-t-il les réseaux en aval contre les pics de tension rapides ?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR :\u003c\/strong\u003e Le semi-conducteur présente un dv\/dt critique élevé de 2000 V\/μs, ce qui empêche tout déclenchement accidentel lorsqu’il est exposé à des variations de tension sévères sur le réseau d’alimentation.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eQ : Le thyristor intègre-t-il des protections contre les surintensités ?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR :\u003c\/strong\u003e Non, il s’agit d’un composant semi-conducteur discret. Des réseaux de protection externes, tels que des fusibles à action rapide et des circuits snubber, doivent être intégrés pour gérer les états de surcharge.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eConsignes d’installation sur site\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003eNettoyez soigneusement les surfaces de contact du thyristor et du dissipateur thermique, puis appliquez une fine couche de pâte thermique spécialisée pour optimiser la conductivité électrique et thermique.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eAppliquez une pression de serrage précise et équilibrée à l’aide de fixations calibrées afin d’assurer une répartition uniforme de la force sur les éléments internes en silicium.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eRaccordez toutes les lignes de déclenchement de la grille directement à la carte de commande en utilisant des câbles courts et torsadés pour réduire la captation de parasites électromagnétiques externes.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVérifiez que les systèmes de refroidissement par air ou liquide respectent strictement les paramètres de charge thermique nécessaires pour maintenir la température de jonction en dessous de 125 °C.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ABB","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":43865694765155,"sku":"5STP38Q4200","price":676.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0583\/5246\/8067\/files\/393._93021600-d07c-46ec-990e-1c389a021d82.jpg?v=1764581125","url":"https:\/\/www.autocontrolglobal.com\/fr\/products\/abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","provider":"AutoControl Global","version":"1.0","type":"link"}