{"product_id":"abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","title":"Tiristore di controllo di fase ABB 5STP38Q4200 4200V 4420A","description":"\u003ch2\u003eTiristore di Controllo di Fase ABB 5STP38Q4200\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003eIl \u003cstrong\u003eABB 5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e, noto anche come Tiristore di Controllo di Fase (PCT) \u003cstrong\u003e5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e, è il principale semiconduttore ad alta potenza \u003cstrong\u003e5STP38Q4200\u003c\/strong\u003e utilizzato per eseguire circuiti di raddrizzamento e commutazione a controllo di fase nelle piattaforme industriali di conversione di potenza.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eSpecifiche Hardware\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParametro\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eSpecifiche\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eModello\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5STP38Q4200\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eMarca\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eABB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eOrigine\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eSvizzera\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003ePeso\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2,1 kg\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eDimensioni\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e151 mm x 151 mm x 26 mm\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eTemperatura di esercizio\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eLimite di temperatura giunzione fino a +125 °C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eConsumo energetico\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eDipendente dalla caduta di tensione in conduzione diretta (VT0 = 0,973 V)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eTensione di picco ripetitiva (VDRM\/VRRM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4200 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorrente media in stato acceso (IT(AV))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4420 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorrente RMS (IT(RMS))\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e6950 A\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorrente di impulso (ITSM)\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e64,5 kA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003edv\/dt critico\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2000 V\/μs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eCorrente di dispersione\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e400 mA a 125 °C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cstrong\u003eVolume del package\u003c\/strong\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0,593 dm cubici\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eControllo V\/Hz e Controllo Vettoriale Orientato al Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eIl semiconduttore ad alta potenza si interfaccia con inverter a frequenza variabile e grandi raddrizzatori per mantenere curve di conduzione della corrente stabili durante le routine di controllo V\/Hz e controllo vettoriale orientato al campo. La tecnologia a silicio flottante combinata con un gate amplificatore interdigitato minimizza la resistenza termica transitoria interna a 0,126 mOhm, ottimizzando i profili di dissipazione termica del dissipatore. Questa dinamica consente al dispositivo di gestire elevate correnti di impulso senza rotture strutturali, mantenendo la sincronizzazione del trigger del gate nonostante rapidi aumenti di tensione diretta o distorsioni armoniche estreme lato linea.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eDomande Frequenti\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eD: Qual è il vantaggio del design a silicio flottante nel 5STP38Q4200?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e Il design permette al wafer di silicio di espandersi e contrarsi autonomamente all’interno dell’involucro, evitando tensioni meccaniche interne e micro-fratture durante cicli termici.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eD: Come protegge il dispositivo le reti a valle da rapidi picchi di tensione?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e Il semiconduttore presenta un elevato valore critico di dv\/dt di 2000 V\/μs, che previene l’innesco accidentale in presenza di variazioni di tensione severe sulla rete di alimentazione.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eD: Il tiristore include protezioni integrate contro sovracorrenti?\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eR:\u003c\/strong\u003e No, si tratta di un componente semiconduttore discreto. Devono essere integrati circuiti di protezione esterni, come fusibili rapidi e circuiti snubber, per gestire gli stati di sovraccarico.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eLinee Guida per l’Installazione in Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003ePulire accuratamente le superfici di contatto sia del tiristore che del dissipatore, applicando uno strato sottile di pasta termica specializzata per ottimizzare la conducibilità elettrica e termica.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eApplicare una pressione di serraggio precisa ed equilibrata utilizzando hardware di montaggio calibrato per garantire una distribuzione uniforme della forza sugli elementi interni del wafer di silicio.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eInstradare tutte le linee di connessione del trigger del gate direttamente alla scheda di accensione usando cavi corti e intrecciati per sopprimere interferenze elettromagnetiche esterne.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003eVerificare che i sistemi di raffreddamento ad aria o liquidi esterni rispettino rigorosamente i parametri di carico termico necessari per mantenere l’operazione al di sotto del limite di 125 °C della giunzione.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ABB","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":43865694765155,"sku":"5STP38Q4200","price":676.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0583\/5246\/8067\/files\/393._93021600-d07c-46ec-990e-1c389a021d82.jpg?v=1764581125","url":"https:\/\/www.autocontrolglobal.com\/it\/products\/abb-5stp38q4200-4200v-4420a-phase-control-thyristor","provider":"AutoControl Global","version":"1.0","type":"link"}