AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | Semiconduttore IGCT 4000A
AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | Semiconduttore IGCT 4000A
AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | Semiconduttore IGCT 4000A
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AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | Semiconduttore IGCT 4000A

  • Manufacturer: ABB

  • Part Number: 5SHY65L45215SXE10-0181 5SHY55L4520 AC10272001R0101

  • Condition:New with Original Package

  • Product Type: Modulo semiconduttore di potenza IGCT

  • Country of Origin: Sweden

  • Payment:T/T, Western Union

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Descrizione del Prodotto

Nucleo Thyristor Integrato Gate-Commutated ad Alta Potenza

Il 5SHY65L4521 (Modello: 5SHY65L4521) è un modulo semiconduttore IGCT di prima qualità progettato per la conversione di potenza ad alta capacità all’interno degli ecosistemi di azionamenti e convertitori a media tensione di ABB. Unendo la robustezza strutturale di un tiristore con il controllo di commutazione sofisticato di un IGBT, il 5SHY65L4521 (Numero di Parte: AC10272001R0101 / 5SXE10-0181) offre un’efficienza eccezionale per applicazioni su scala utility. Questo modulo è specificamente progettato per gestire un flusso di corrente massiccio mantenendo basse perdite di conduzione, diventando lo standard del settore per settori ad alta affidabilità come la trasmissione HVDC, il controllo di motori industriali pesanti e i sistemi di connessione alla rete per energie rinnovabili.

Specifiche Tecniche Dettagliate

Il 5SHY65L4521 (AC10272001R0101) utilizza la tecnologia avanzata Soft Punch-Through (SPT++) per garantire un funzionamento stabile sotto stress elettrico estremo.

  • Produttore: ABB

  • ID Modello: 5SHY65L4521

  • Modelli Associati: 5SHY55L4520 / 5SHY5045L0020

  • Numero d’Ordine: AC10272001R0101

  • ID Parte Alternativo: 5SXE10-0181

  • Tipo di Dispositivo: Thyristor Integrato Gate-Commutated (IGCT)

  • Tensione di Blocco Nominale: 4500 V

  • Corrente di Spegnimento Nominale: da 3000 A a 4000 A (a seconda del raffreddamento del sistema)

  • Architettura del Chip: SPT++ (Soft Punch-Through) per prestazioni di di/dt migliorate

  • Capacità di Commutazione: di/dt veloce fino a 5 kA/µs

  • Temperatura di Giunzione: fino a 125 °C – 150 °C (ottimizzata per alta stabilità termica)

  • Isolamento: isolamento galvanico ad alta tensione tramite unità gate integrata

  • Requisito di Raffreddamento: raffreddamento a liquido o aria forzata ad alta velocità

  • Peso: 3 kg 

  • Codice HS: 85412900 (Dispositivi semiconduttori, tiristori/IGBT)

  • Paese di Origine: Svezia / Svizzera

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