5SHX1445H0002 | ABB | 3BHB003386R0101 Hochleistungs-IGCT

Produktbeschreibung

Leistungsstarkes integriertes Gate-Commutated Thyristor-Modul

Das 5SHX1445H0002 (Modell: 5SHX1445H0002) ist ein leistungsstarkes integriertes Gate-Commutated Thyristor (IGCT)-Modul, das für groß angelegte Energieumwandlungssysteme entwickelt wurde. Diese Einheit besteht aus dem primären IGCT-Halbleiter, dem 3BHB003386R0101 (Gate-Einheit) und dem 3BHL000387P0101 (Treiberplatine). Durch die Kombination der robusten Überstromfähigkeit eines Thyristors mit dem schnellen, spannungsgesteuerten Schalten eines IGBTs dient dieses Modul als zentrales Leistungsschaltelement für Mittelspannungsantriebe und HVDC-Systeme. Es ist darauf ausgelegt, enorme Energiemengen mit minimalen Leitungsverlusten zu bewältigen und gewährleistet so die hohe Effizienz, die in der industriellen Energieverwaltung erforderlich ist.

Detaillierte technische Spezifikationen

Das 5SHX1445H0002 (3BHB003386R0101 / 3BHL000387P0101) Modul ist für extreme Zuverlässigkeit in Hochspannungsumgebungen ausgelegt.

• Hersteller: ABB

• IGCT-Modell: 5SHX1445H0002

• Gate-Einheit Teilenummer: 3BHB003386R0101 (GVC705AE01)

• Treiberplatine Teilenummer: 3BHL000387P0101

• Spitzen-Sperrspannung: 4500 V

• Maximaler Abschaltstrom: ~3000 A (systemabhängig)

• Chip-Technologie: SPT++ (Soft Punch-Through) für optimiertes Schalten

• Schaltkapazität (di/dt): Bis zu 5 kA/µs

• Junction-Temperatur: Bis zu 125°C - 150°C

• Abmessungen: 29 cm x 34,5 cm x 6 cm

• Nettogewicht: 1,58 kg

• Kühlmethode: Unterstützung für Zwangsluft- oder Flüssigkeitskühlplatten

• Montageschnittstelle: Spezielles Press-Pack-Gehäuse für gleichmäßige Druckverteilung

• Herkunft: Schweiz / Schweden