AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | 4000A IGCT-Halbleiter
AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | 4000A IGCT-Halbleiter
AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | 4000A IGCT-Halbleiter
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AC10272001R0101 | ABB 5SHY65L4521 | 4000A IGCT-Halbleiter

  • Manufacturer: ABB

  • Part Number: 5SHY65L45215SXE10-0181 5SHY55L4520 AC10272001R0101

  • Condition:New with Original Package

  • Product Type: IGCT-Leistungshalbleitermodul

  • Country of Origin: Sweden

  • Payment:T/T, Western Union

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Produktbeschreibung

Leistungsstarker integrierter Gate-Commutated Thyristor Kern

Der 5SHY65L4521 (Modell: 5SHY65L4521) ist ein erstklassiges IGCT-Halbleitermodul, das für die Hochleistungskraftumwandlung innerhalb von ABBs Mittelspannungsantriebs- und Umrichter-Ökosystemen entwickelt wurde. Durch die Kombination der strukturellen Robustheit eines Thyristors mit der ausgefeilten Schaltsteuerung eines IGBTs bietet der 5SHY65L4521 (Teilenummer: AC10272001R0101 / 5SXE10-0181) eine außergewöhnliche Effizienz für Anwendungen im Versorgungsmaßstab. Dieses Modul ist speziell dafür ausgelegt, enorme Stromstärken zu bewältigen und dabei geringe Durchlassverluste zu gewährleisten, was es zum Industriestandard für hochzuverlässige Bereiche wie HVDC-Übertragung, schwere industrielle Motorsteuerungen und netzgekoppelte Systeme für erneuerbare Energien macht.

Detaillierte technische Spezifikationen

Der 5SHY65L4521 (AC10272001R0101) nutzt fortschrittliche Soft Punch-Through (SPT++)-Technologie, um einen stabilen Betrieb unter extremen elektrischen Belastungen sicherzustellen.

  • Hersteller: ABB

  • Modell-ID: 5SHY65L4521

  • Verwandte Modelle: 5SHY55L4520 / 5SHY5045L0020

  • Bestellnummer: AC10272001R0101

  • Alternative Teilenummer: 5SXE10-0181

  • Gerätetyp: Integrierter Gate-Commutated Thyristor (IGCT)

  • Bemessungssperrspannung: 4500 V

  • Bemesseter Abschaltstrom: 3000 A bis 4000 A (abhängig von der Systemkühlung)

  • Chip-Architektur: SPT++ (Soft Punch-Through) für verbesserte di/dt-Leistung

  • Schaltkapazität: Schnelles di/dt bis zu 5 kA/µs

  • Junction-Temperatur: Bis zu 125 °C – 150 °C (optimiert für hohe thermische Stabilität)

  • Isolation: Hochspannungs-Galvanische Trennung über integrierte Gate-Einheit

  • Kühlungsanforderung: Flüssigkeitskühlung oder Hochgeschwindigkeits-Zwangsluft

  • Gewicht: 3 kg 

  • HS-Code: 85412900 (Halbleiterbauelemente, Thyristoren/IGBTs)

  • Herkunftsland: Schweden / Schweiz

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