Bảng đầu nối Mark VI General Electric IS200TBCIH1BBD
Bảng đầu nối Mark VI General Electric IS200TBCIH1BBD
Bảng đầu nối Mark VI General Electric IS200TBCIH1BBD
/ 3

Bảng đầu nối Mark VI General Electric IS200TBCIH1BBD

  • Manufacturer: GE Fanuc

  • Part Number: IS200TBCIH1BBD

  • Condition:New with Original Package

  • Product Type: Mô-đun đầu vào kỹ thuật số

  • Country of Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Bo mạch đầu cuối đầu vào tiếp điểm General Electric IS200TBCIH1BBD Mark VI

General Electric IS200TBCIH1BBD, còn được ghi trong danh mục là bo mạch đầu cuối đầu vào tiếp điểm IS200TBCI, hoạt động như một linh kiện phần cứng chuyên dụng để giao tiếp với 24 đầu vào trường rời dạng tiếp điểm khô trong các hệ thống điều khiển tuabin GE Speedtronic Mark VI.

Thông số kỹ thuật phần cứng

Tham số Thông số kỹ thuật
Model IS200TBCIH1BBD
Thương hiệu General Electric
Xuất xứ USA
Trọng lượng 1.1 kg
Kích thước 33.02 cm x 10.16 cm
Nhiệt độ vận hành -30 độ C đến +65 độ C
Công suất tiêu thụ 20.6 W
Đầu vào rời 24 kênh (tiếp điểm khô)
Bộ lọc phần cứng Độ trễ lọc 4 ms
Điện áp cách ly 1500 V giữa dây dẫn hiện trường và bảng nối sau của hệ thống
Loại đầu nối Cầu đấu dạng chắn và các đầu nối mật độ cao
Vỏ/lắp đặt Lắp trong tủ rack

Bảng nối sau điều khiển công nghiệp & mạng truyền thông xác định

General Electric IS200TBCIH1BBD xử lý các tín hiệu trường rời và truyền chúng qua bảng nối sau hệ thống VMEbus tốc độ cao của Mark VI. Các bộ lọc phần cứng tạo độ trễ cố định 4 ms để loại bỏ hiện tượng dội tiếp điểm từ các công tắc hiện trường trước khi truyền qua bảng nối sau.

Bo mạch duy trì thời gian cố định trong các vòng điều khiển xác định mà không tạo thêm độ trễ truyền thông trên bảng nối sau. Bộ nhớ tích hợp lưu trữ thông tin nhận dạng phần cứng, cho phép xác minh nghiêm ngặt khả năng tương thích của firmware flash khi hệ thống khởi động. Mạch bảo vệ chống xung điện tích hợp và cách ly điện 1500 V bảo vệ các bo mạch xử lý trung tâm khỏi các quá độ điện trường và chênh lệch điện thế đất.

Câu hỏi thường gặp

Hỏi: Bộ lọc phần cứng 4 ms trên IS200TBCIH1BBD ảnh hưởng thế nào đến việc phát hiện tín hiệu tiếp điểm?

Đáp: Bộ lọc phần cứng 4 ms làm suy giảm nhiễu tần số cao và hiện tượng dội cơ học của tiếp điểm trên các đường đầu vào tiếp điểm khô, đảm bảo các thay đổi trạng thái số rõ ràng đến bộ xử lý Mark VI mà không gây kích hoạt giả.

Hỏi: Có thể tháo hoặc thay thế bo mạch IS200TBCIH1BBD khi nguồn bảng nối sau của hệ thống đang hoạt động không?

Đáp: Không, không được phép thay nóng. Kỹ thuật viên phải ngắt hoàn toàn nguồn điện của tủ trước khi tháo hoặc thay thế bo mạch để tránh làm hỏng tín hiệu bảng nối sau và gây xung điện áp.

Hỏi: Những cơ chế nào bảo vệ mạch xử lý bên trong khỏi các quá độ điện áp trường bên ngoài?

Đáp: Các mạch triệt xung tích hợp kết hợp với hàng rào cách ly điện 1500 V sẽ cách ly các đầu nối vít đầu vào rời khỏi phần điện tử điều khiển bảng nối sau nhạy cảm.

Hướng dẫn lắp đặt tại hiện trường

Gắn chắc bo mạch IS200TBCIH1BBD vào khe rack VME Mark VI được chỉ định bằng các chi tiết siết kim loại để duy trì tính liên tục của nối đất khung máy. Xác minh nhiệt độ môi trường vận hành trong tủ luôn nằm trong phạm vi quy định từ -30 độ C đến +65 độ C.

Nối dây hiện trường của các tiếp điểm khô trực tiếp vào các cầu đấu dạng chắn, đảm bảo các đầu nối vít được siết đúng mô-men để duy trì kết nối tin cậy, điện trở thấp. Đi riêng cáp đầu vào rời với các ống dẫn nguồn điện áp cao để hạn chế ghép cảm ứng. Đảm bảo nguồn bảng nối sau của hệ thống đã được cách ly hoàn toàn trước khi nối hoặc tháo các đường tín hiệu.

Bạn cũng có thể thích